Popis funkce bipolárního tranzistoru (BJT)

Funkce bipolárního tranzistoru je založena na vzájemném působení dvou přechodů PN. Při této polarizaci napětí dochází k silné injekci elektronů (většinových nosičů) z emitorové oblasti N do oblasti báze P (zde se stávají menšinovými nosiči). Elektrony se difúzním pohybem přibližují ke kolektorové oblasti N, a protože tato oblast je k emitorové oblasti velmi blízko (zatímco kontakt B je daleko), způsobí silné elektrické pole ochuzené vrstvy kolektorového přechodu, že elektrony přejdou do kolektorové oblasti N. Pouze malá část elektronů v oblasti báze rekombinuje. Vlivem kolektorového přechodu je tak proud ze smyčky B-E přemístěn do smyčky C-E. Malým proudem báze je řízen velký proud kolektoru.

S velikostí U_BE vzrůstá proud elektronů, které procházejí z emitoru do oblasti kolektoru.

Závislost kolektorového proudu na napětí U_BE je nazývána tranzistorový jev. Ten se projevuje pouze při dostatečné blízkosti emitorového a kolektorového přechodu. Při zvětšení jejich vzdálenosti tranzistorový jev zanikne.

Zdroje

• KOUTNÝ, Jaroslav a Ivo VLK. Elektronika I učebnice.  VYTVOŘENO V RÁMCI PROJEKTU: DIGITÁLNÍ ŠKOLA: ICT VE VÝUCE TECHNICKÝCH PŘEDMĚTŮ, REG. Č. CZ.1.07/1.1.04/01.0137, Vyšší odborná škola a Střední průmyslová škola elektrotechnická, Olomouc 2009