Princip činnosti základních typů MOSFET tranzistorů

Tranzistory typu MOSFET (Metal Oxid Semiconductor Field Effect Tranzistor) jsou nejrozšířenějším typem v oblasti tranzistorů s izolovaným hradlem. Tyto tranzistory jsou z části podobné tranzistorům JFET, ale vykazují větší vstupní impedanci (cca 10¹⁴ Ω). Izolační vrstva (nejčastěji SiO₂₎ tvoří kapacitní vazbu mezi hradlem a dalšími částmi tranzistoru. Tranzistory MOSFET jsou univerzálnější ve svém použití právě proto, že prakticky neexistuje vnitřní stejnosměrná vazba tranzistoru a hradla. Vzniká však také větší nebezpečí zničení izolační vrstvy statickou elektřinou během běžné manipulace.

Tranzistory typu MOSFET jsou často používány v integrovaných obvodech velké integrace, kde jejich vysoká vstupní impedance umožňuje dosáhnout velmi nízké výkonové spotřeby na součástku.

Tranzistory typu MOSFET se vyrábí ve čtyřech základních provedeních:

• s N-kanálem (NMOS)

  • s indukovaným kanálem;
  • s vodivým kanálem (se zabudovaným kanálem);

• s P-kanálem (PMOS )

  • s indukovaným kanálem;
  • s vodivým kanálem (se zabudovaným kanálem).

 

Obr. 1: Schématické značky jednotlivých druhů tranzistorů MOSFET

Dílčí lekce

Zdroje

• KOUTNÝ, Jaroslav a Ivo VLK. Elektronika I učebnice.  VYTVOŘENO V RÁMCI PROJEKTU: DIGITÁLNÍ ŠKOLA: ICT VE VÝUCE TECHNICKÝCH PŘEDMĚTŮ, REG. Č. CZ.1.07/1.1.04/01.0137, Vyšší odborná škola a Střední průmyslová škola elektrotechnická, Olomouc 2009